La base de elementos de los elementos semiconductores está en constante crecimiento. Cada nuevo invento en esta área, de hecho, cambia toda la idea de los sistemas electrónicos. Las capacidades de diseño de circuitos están cambiando, están surgiendo nuevos dispositivos basados en ellas. Ha pasado mucho tiempo desde la invención del primer transistor (1948). Se inventaron las estructuras "p-n-p" y "n-p-n", los transistores bipolares. Con el tiempo, también apareció el transistor MIS, que funciona según el principio de cambiar la conductividad eléctrica de la capa semiconductora cercana a la superficie bajo la acción de un campo eléctrico. Por lo tanto, otro nombre para este elemento es campo.
La misma abreviatura MIS (metal-dielectric-semiconductor) caracteriza la estructura interna de este dispositivo. De hecho, su puerta está aislada del drenaje y la fuente por una fina capa no conductora. Un transistor MIS moderno tiene una longitud de puerta de 0,6 µm. Solo un campo electromagnético puede atravesarlo; esto es lo que afecta el estado eléctrico del semiconductor.
Veamos cómo funciona un FET y descubramos cuál es su principal diferencia con"hermano" bipolar. Cuando aparece el potencial requerido, aparece un campo electromagnético en su puerta. Afecta la resistencia de la unión drenaje-fuente. Estos son algunos de los beneficios de usar este electrodoméstico.
- En el estado abierto, la resistencia de transición drenaje-fuente es muy pequeña y el transistor MIS se utiliza con éxito como llave electrónica. Por ejemplo, puede impulsar un amplificador operacional desviando una carga o participar en circuitos lógicos.
- También cabe destacar la alta impedancia de entrada del dispositivo. Este parámetro es bastante relevante cuando se trabaja en circuitos de baja corriente.
- La baja capacitancia de la unión drenaje-fuente hace posible usar el transistor MIS en dispositivos de alta frecuencia. No hay distorsión en la transmisión de la señal durante el proceso.
- El desarrollo de nuevas tecnologías en la producción de elementos ha llevado a la creación de transistores IGBT que combinan las cualidades positivas de los elementos de campo y bipolares. Los módulos de potencia basados en ellos se utilizan ampliamente en arrancadores suaves y convertidores de frecuencia.
A la hora de diseñar y trabajar con estos elementos hay que tener en cuenta que los transistores MIS son muy sensibles a las sobretensiones en el circuito ya la electricidad estática. Es decir, el dispositivo puede fallar al tocar los terminales de control. Al instalar o desmontar, utilice una conexión a tierra especial.
Las perspectivas de uso de este dispositivo son muy buenas. Gracias asus propiedades únicas, ha encontrado una amplia aplicación en varios equipos electrónicos. Una tendencia innovadora en la electrónica moderna es el uso de módulos IGBT de potencia para operar en varios circuitos, incluidos los circuitos de inducción.
La tecnología de su producción se mejora constantemente. Se están realizando desarrollos para escalar (reducir) la longitud del obturador. Esto mejorará el ya buen rendimiento del dispositivo.
